陰極分解和激活工藝對磁控管頻譜主副瓣比的影響

2014-09-17 張桂榮 甘肅省微波電子工程技術(shù)研究中心

  通過對陰極分解溫度和激活溫度的合理控制,不僅使陰極的活性和發(fā)射穩(wěn)定性得到顯著提高,而且使管內(nèi)電極除氣更加徹底,改善了互作用空間電子云的分布狀態(tài),有效提高磁控管的工作穩(wěn)定度,使磁控管頻譜主副瓣比提高到12dB(平方率)以上。

  磁控管頻譜主副瓣比直接影響到雷達(dá)接收機(jī)的噪聲,影響磁控管頻譜主副瓣比的因素除了有設(shè)計(結(jié)構(gòu)的合理性)、工藝(陰陽極對中度,管內(nèi)真空度)、陰極性能(發(fā)射大小及穩(wěn)定度)因素以外,還有調(diào)制脈沖(脈沖寬度、重復(fù)頻率、前沿上升時間)、磁場(磁場畸變,分布不均)、負(fù)載(負(fù)載適配、負(fù)載不穩(wěn))、測試信號(取樣的失真率)等因素。對于處于穩(wěn)定工作狀態(tài)的磁控管,頻譜主副瓣比達(dá)到8~12dB(平方率檢波,下同)并不困難,然要進(jìn)一步提高就需要深入研究了。工程實踐發(fā)現(xiàn),排氣工藝對磁控管頻譜主副瓣比具有一定影響,適當(dāng)提高分解和直流沖擊(電子激活)過程的陰極溫度,能夠使磁控管頻譜主副瓣比達(dá)到12dB以上。

  文中以C波段氣象雷達(dá)用某型號同軸磁控管為例進(jìn)行論述。該型號磁控管(下稱磁控管)的陰極為海綿鎳氧化物陰極。為了對磁控管陰極溫度進(jìn)行準(zhǔn)確控制,有必要采用實驗法測定出磁控管熱絲電流與陰極表面溫度的關(guān)系。圖1是利用光學(xué)高溫計測定的熱絲電流與陰極表面溫度曲線。

熱絲電流與陰極表面溫度曲線

圖1 熱絲電流與陰極表面溫度曲線

1、提高陰極分解溫度

  1.1、方案1-1

  考慮到抽氣速率和生產(chǎn)效率問題,初步確定,陰極分解時真空度維持在10-3~10-4Pa之間。從堿土金屬碳酸鹽分解溫度與離解壓力曲線(圖2所示)可以看出,碳酸鋇的離解壓力最小,所以確定陰極分解的最低溫度應(yīng)在750~850℃。參照從圖1可知,熱絲電流最高應(yīng)加至5.5~5.8A。

碳酸鹽離解壓力與溫度曲線

圖2 碳酸鹽離解壓力與溫度曲線

  按此方案進(jìn)行陰極分解,排氣后的磁控管在不同測試狀態(tài)下的頻譜主副瓣比測試數(shù)據(jù)見表1。頻譜如圖3所示。

表1 方案1-1的磁控管頻譜主副瓣比測試數(shù)據(jù)

方案1-1的磁控管頻譜主副瓣比測試數(shù)據(jù)

方案1-1的磁控管頻譜主副瓣比實測圖片

圖3 方案1-1的磁控管頻譜主副瓣比實測圖片

  1.2、方案1-2

  將分解時的真空度提高一個數(shù)量級,使之維持在10-4~10-5Pa之間,根據(jù)圖2可知,最低分解溫度應(yīng)提高到850~950℃。參照圖1可知此時熱絲電流最高應(yīng)加至5.8~6.6A。按此方案進(jìn)行陰極分解,排氣后的磁控管在不同測試狀態(tài)下的頻譜主副瓣比測試數(shù)據(jù)見表2。頻譜如圖4所示。

表2 方案1-2的磁控管頻譜主副瓣比測試數(shù)據(jù)

方案1-2的磁控管頻譜主副瓣比測試數(shù)據(jù)

方案1-2的磁控管頻譜主副瓣比實測圖片

圖4 方案1-2的磁控管頻譜主副瓣比實測圖片

  測試結(jié)果表明,適當(dāng)提高陰極分解溫度能使磁控管頻譜主副瓣比得到一定程度的提高。這是因為,從氧化物陰極分解的反應(yīng)式可以看出:

方案2-2的磁控管頻譜主副瓣比測試數(shù)據(jù)

  影響反應(yīng)向右進(jìn)行的關(guān)鍵因素就是溫度的提高和CO2的去除。適當(dāng)提高分解溫度和真空度,可使碳酸鹽得到充分分解,有利于產(chǎn)生充足的活性鋇原子,使陰極的發(fā)射性能達(dá)到最佳狀態(tài)。另一方面,分解溫度的提高,有利于分解得的到氧化物迅速形成共晶體,使陰極獲得更加良好的發(fā)射性能。這樣,磁控管工作穩(wěn)定度進(jìn)一步提高了,頻譜主副瓣比也就提高了。目前,超高真空排氣臺在分解中提供10-7Pa以上的真空度已不成問題,這為分解溫度的提高提供了可能。另外,提高分解溫度,可以縮短分解時間,這對提高生產(chǎn)效率也是有利的。

  值得注意的是,分解溫度并非越高越好。隨著分解溫度的升高,碳酸鹽分解所得到的氧化物的蒸發(fā)量也會增加,使陰極發(fā)射能力下降,所以提高分解的同時,就要相應(yīng)縮短分解時間。分解溫度升高,熱絲溫度也要提得更高,這就極易造成熱絲絕緣層的短路,甚至燒斷熱絲。分解溫度過高,過早生成的氧化物共晶體將會阻止活性鋇原子的繼續(xù)產(chǎn)生。若分解溫度達(dá)到基金屬熔點,就會使基金屬過量蒸發(fā)沉積在陰極表面,使涂層被沾污及造成漏電。一般來說,陰極分解溫度不宜超過1050℃。

2、提高直流沖擊(電子激活)溫度

  考慮磁控管壽命問題(理論設(shè)計壽命2000h),沖擊過程中真空度保持在10-7~10-8Pa之間,沖擊時陰極溫度取800~900℃,參照圖1,熱絲電流應(yīng)加5.6~6.2A。

  2.1、方案2-1

  沖擊時將陰極溫度控制在800℃,相應(yīng)的熱絲電流加至5.6A。按此方案完成直流沖擊,排氣后的磁控管在不同測試狀態(tài)下的頻譜主副瓣比測試數(shù)據(jù)如表2所示,頻譜如圖4所示。

  2.2、方案2-2

  將沖擊時的陰極溫度提高到900℃,此時熱絲電流應(yīng)加至6.2A。

  按此方案完成直流沖擊,排氣后的磁控管在不同測試狀態(tài)下的頻譜主副瓣比測試數(shù)據(jù)見表3。頻譜如圖5所示。

表3 方案2-2的磁控管頻譜主副瓣比測試數(shù)據(jù)

方案2-2的磁控管頻譜主副瓣比測試數(shù)據(jù)

方案2-2的磁控管頻譜主副瓣比實測圖片

圖5 方案2-2的磁控管頻譜主副瓣比實測圖片

  測試結(jié)果表明,適當(dāng)提高直流沖擊的陰極溫度能使磁控管的頻譜主副瓣比得到進(jìn)一步提高。沖擊中發(fā)現(xiàn),提高陰極溫度,陽極電流增加,管內(nèi)放氣更加厲害,沖擊時間得到縮短。這是因為,陰極溫度的提高,使陰極涂層晶格中的離子動能增強(qiáng),運(yùn)動加劇,鋇離子向基金屬運(yùn)動,得到電子被中和成自由鋇原子,擴(kuò)散至涂層中的鋇原子數(shù)量增加,陰極活性提高,因而陽極電流增加。

  同時,更多的氧離子向涂層表面運(yùn)動,失去電子形成氧氣溢出涂層表面。更為重要的是,陰極溫度的增加,電子對管內(nèi)陽極結(jié)構(gòu)表面(尤其是靠近陰極的陽極)轟擊更加劇烈,使陽極表面吸附的氣體及氧化物得到更為徹底地“脫附”,因而管內(nèi)放氣更加厲害。這些氣體和污物被抽走,進(jìn)一步改善了陰極工作環(huán)境。另外,陰極溫度的提高,對于避免因轟擊電極大量放出的氣體使陰極中毒也是有利的。陰極溫度的提高,加速了陰極“電子激活”和氣體“脫附”進(jìn)程,因而沖擊時間有所縮短,這也有利于生產(chǎn)效率的提高。

  當(dāng)然,直流沖擊中,為了避免陰極活性物質(zhì)和基金屬的大量蒸發(fā),陰極溫度最高不應(yīng)超過950 ℃。而且,真空度不應(yīng)下降太厲害,若放氣過大,可逐漸提高熱絲電流或直流電壓,直至真空度上升。

3、結(jié)論

  頻譜主副瓣比是磁控管工作穩(wěn)定度的一種反映,在磁控管的排氣過程中,合理選取分解和直流沖擊的陰極溫度,將使陰極分解更加充分,電極除氣更加徹底,對于提高陰極活性和減少雜質(zhì)離子轟擊,避免引起陰極濺射和中毒,改善互作用空間電子云的分布狀態(tài)均十分有利,有效提高磁控管工作穩(wěn)定度,使頻譜主副瓣比提高到12dB(平方率)以上。