近年來，準一維納米結(jié)構(gòu)材料由于其在新型的電子，光學以及光電器件中有著潛在的應用價值，因此引起了廣泛的研究興趣。

　　最近，采用電化學淀積以及多孔陽極氧化鋁模版生長法(孔徑大�。�50 nm，背部濺射制作的金膜工作電極厚度：200 nm)成功地制備出Ni，Cu 以及Ni/Cu 超晶格納米線陣列。

　　在本文中，對這種納米線陣列結(jié)構(gòu)進行了光學實驗測量研究。樣品在可見到紅外波段的光學反射光譜通過成像光譜儀來記錄(測量范圍：400～2000nm)。實驗中，樣品的溫度分別被設(shè)定為4.2，70，15，200 K 以及室溫。發(fā)現(xiàn)，納米線陣列樣品的光學反射光譜強度和樣品的溫度密切相關(guān)。在可見光波段，所有樣品當溫度為200 K時光學反射光譜最強。然而，在紅外波段，樣品的光學反射光譜又表現(xiàn)出和可見光波段不同的特征。

　　最后討論了產(chǎn)生這些實驗現(xiàn)象的物理機制，這將有助于將金屬納米線陣列結(jié)構(gòu)應用于光學以及光電器件中。