方塊電阻測(cè)試儀的智能化方案
提出對(duì)便攜式方塊電阻測(cè)試儀的內(nèi)部功能進(jìn)行智能化的必要性和實(shí)驗(yàn)方案,包括:電源的動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè);探針通路的檢測(cè);防止探針擊穿樣品;智能A/D轉(zhuǎn)換;自動(dòng)量程轉(zhuǎn)換;數(shù)字通訊等。由硬件和軟件配合達(dá)到智能化的目的。
目前,氧化銦錫(ITO)以其出色的導(dǎo)電性和透光性,成為透明導(dǎo)電薄膜材料的突出代表。對(duì)其研發(fā)越來(lái)越深入、全面,制造和應(yīng)用也越來(lái)越廣泛。包括單色和彩色的LCD顯示、PDP顯示、OLED、PLED……幾乎所有的新型平面顯示技術(shù)和表面控制技術(shù),都在采用或?qū)⒁捎肐TO透明導(dǎo)電材料作為其重要組成部分。如ITO透明導(dǎo)電玻璃產(chǎn)品,從TN型,延伸到STN型、TFT型、觸摸屏、彩色濾光片……眾多品種。同時(shí),其他透明導(dǎo)電氧化物(TCO)薄膜材料的研發(fā)和應(yīng)用也在快速的發(fā)展。
1、導(dǎo)電薄膜材料的檢測(cè)
以ITO透明導(dǎo)電玻璃為例,透明導(dǎo)電薄膜材料的質(zhì)量檢測(cè)包括以下幾個(gè)方面:尺寸、方塊電阻、蝕刻性能、ITO膜層耐堿性、透光性和可靠性等。其中方塊電阻和透光性是應(yīng)用的主要參數(shù),它們分別由靶材中的氧化錫和氧化銦的各占比例來(lái)確定。在基材確定,生產(chǎn)工藝、技術(shù)穩(wěn)定,靶材中含銦、錫配比選擇固定的情況下,對(duì)方塊電阻這個(gè)參數(shù)的測(cè)量,就可象征對(duì)ITO 玻璃的總體檢測(cè)。
2、方塊電阻及其測(cè)量原理
按照電阻定律的公式:
R = ρ × L/S (1)
式中R代表電阻,ρ代表電阻率,L代表電流方向的樣品長(zhǎng)度,S代表樣品垂直于電流方向上的截面積。
可以得出導(dǎo)電薄膜膜層電阻的測(cè)量原理如下:如圖1所示:G表示基材—玻璃原片;ITO表示被濺射在玻璃原片上的氧化銦錫膜層;D表示膜層的厚度,I 表示平行于玻璃原片表面而流經(jīng)膜層的電流;L1 表示在電流方向上被測(cè)膜層的長(zhǎng)度;L2表示垂直于電流方向上被測(cè)膜層的長(zhǎng)度。依照(1)式,則膜層電阻R 為:
R = ρ × L1/(L2×D) (2)
式中ρ為膜層材料的電阻率。
當(dāng)(2)式中L1=L2時(shí),R即定義為膜層的方塊電阻R□:
R□ = ρ/D(單位:Ω/□) (3)
它表示膜層的方塊電阻值僅與膜層材料與膜層的厚度有關(guān),而與膜層的表面尺寸無(wú)關(guān)。在實(shí)際的測(cè)量中,由于要求儀器便攜的需要,較多地采用“直排四探針”方法測(cè)量膜層的方塊電阻。測(cè)量原理如圖2 所示。圖中1、2、3、4 表示四根探針;S 表示探針間距;I 表示電流(單位:mA)從探針1 流入、從探針4 流出;△V 表示探針2、3 間的電位差(單位:mV)。
此時(shí),(3) 式表示的膜層方塊電阻R□經(jīng)過(guò)推導(dǎo)為:
R□ = 4.53×△V /I(單位:Ω/□) (4)
可見(jiàn),只要在測(cè)量時(shí)給樣品輸入適當(dāng)?shù)碾娏鱅—要避免過(guò)多的少子注入和引起樣品發(fā)熱,并測(cè)出電位差△V,即可由(4)式得出膜層的方塊電阻值。任意尺寸的膜層電阻值,可聯(lián)立(2)(3)(4)式得出。
圖1 膜層電阻示意圖 圖2 方塊電阻的測(cè)量原理
3、測(cè)量?jī)x器智能化的必要性
目前在ITO玻璃的生產(chǎn)過(guò)程中,手提式方塊電阻測(cè)試儀相對(duì)使用較多。它的特點(diǎn)是:
、 手持儀器測(cè)量,操作簡(jiǎn)單、輕巧靈活、便于移動(dòng)。
、 可采用電池供電,對(duì)測(cè)量的電磁干擾因素減少。
、 LCD 數(shù)字顯示,讀數(shù)直觀、讀數(shù)誤差小。
但這類手提式方塊電阻測(cè)試儀存在以下不足之處:
、 采用電池供電時(shí),儀器在使用中電源電壓會(huì)從高到低變化。一旦電源電壓低于儀器內(nèi)部器件工作的要求,就會(huì)造成儀器工作的不穩(wěn)定,引起測(cè)量的誤差,F(xiàn)行的手提式儀器采用“以一概全”的方法檢測(cè)電源電壓,如僅在A/D轉(zhuǎn)換和顯示這一功能模塊進(jìn)行檢測(cè),而儀器的其他功能模塊的工作電壓則沒(méi)有監(jiān)測(cè)。這樣的結(jié)果是:或超前報(bào)警,浪費(fèi)資源;或滯后報(bào)警,引入測(cè)量誤差。
、 手持式儀器需要操作者手動(dòng)使用探頭進(jìn)行測(cè)量,容易造成探頭損壞和探頭與樣品的接觸不良,帶來(lái)測(cè)量的錯(cuò)誤。現(xiàn)行的手提式儀器均沒(méi)有對(duì)探頭通路的檢測(cè)功能,以及對(duì)探頭與樣品接觸狀態(tài)的檢測(cè)功能,操作者全憑經(jīng)驗(yàn)根據(jù)測(cè)量結(jié)果來(lái)判斷儀器的狀態(tài)是否正常。如果是對(duì)新配方材料的測(cè)量或者操作者沒(méi)有經(jīng)驗(yàn),這樣出現(xiàn)錯(cuò)誤判斷的概率就非常高。
、 手持式儀器由于要求輕便,將其中測(cè)量回路的恒流源轉(zhuǎn)化為用穩(wěn)流措施取代,大大簡(jiǎn)化了對(duì)測(cè)量電流的穩(wěn)定性管理。使用時(shí),探頭的電流探針,按測(cè)量的需要必須與薄膜樣品接觸,就直接將電壓加在被測(cè)薄膜樣品上。這個(gè)電壓可能是幾伏甚至幾十伏,當(dāng)探頭的探針與薄膜樣品接觸的瞬間,在接觸點(diǎn)就存在“打火”的可能性,可能導(dǎo)致?lián)舸悠罚斐蓪?duì)薄膜的永久損壞。
、 現(xiàn)在的ITO透明導(dǎo)電薄膜主要滿足導(dǎo)電性和透光性(80%左右)的均衡要求,它的方塊電阻最大值約200Ω/□左右。如果生產(chǎn)線的不穩(wěn)定,或人為的實(shí)驗(yàn)需要,均有可能使薄膜的方塊電阻值在跨數(shù)量級(jí)的范圍變化。在當(dāng)前對(duì)新型透明導(dǎo)電薄膜材料的研制中,增加了以透光性為主(90%左右),導(dǎo)電性為輔的材料(如觸摸屏等)的要求,所以需要制造更薄的ITO 薄膜或其他TCO 薄膜,使薄膜的方塊電阻可能達(dá)到幾千甚至上萬(wàn)。這樣就有必要做到測(cè)量寬量程和測(cè)量精度的統(tǒng)一。
、 在材料的研究和生產(chǎn)中, 對(duì)檢測(cè)的控制和對(duì)檢測(cè)數(shù)據(jù)的運(yùn)算、管理等提出了更多的要求。手提式方塊電阻測(cè)試儀如果沒(méi)有數(shù)字通訊功能, 就缺少對(duì)測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行集中管理和分析的便利, 以及融入全自動(dòng)測(cè)控系統(tǒng)使用的條件。
因此有必要對(duì)方塊電阻測(cè)試儀作智能化的設(shè)計(jì):
、 建立動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)電源電壓。
、 實(shí)現(xiàn)探針通斷和探頭與樣品接觸狀態(tài)的綜合檢測(cè)。
③ 有效避免探針擊穿樣品。
、 智能的A/D 轉(zhuǎn)換和自動(dòng)量程轉(zhuǎn)換。
、 建立與PC 的通訊功能。
4、技術(shù)的方案和實(shí)驗(yàn)
4.1、電源電壓動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)網(wǎng)絡(luò)
方案如圖3 所示。根據(jù)儀器各功能模塊對(duì)電源要求的關(guān)系和不同,確定電源電壓的綜合參考點(diǎn)。同時(shí)在儀器系統(tǒng)建立一個(gè)不隨電池電壓改變的低電壓基準(zhǔn)(如1.2 V),作為A/D轉(zhuǎn)換器的參照點(diǎn)。當(dāng)電源電壓發(fā)生改變時(shí),微處理器單元(MCU)通過(guò)A/D 轉(zhuǎn)換器讀取電壓參考點(diǎn)信號(hào),在MCU 內(nèi)部結(jié)合電壓基準(zhǔn)進(jìn)行精確的運(yùn)算、比較。當(dāng)運(yùn)算結(jié)果等于(或接近)設(shè)定值時(shí),MCU 對(duì)報(bào)警電路輸出控制信號(hào),儀器提示“電壓過(guò)高”或“電壓過(guò)低”。當(dāng)使用非充電型干電池時(shí),電池電壓隨放電電流和放電時(shí)間的不同而變化,并且有電壓虛高的特點(diǎn)。所以儀器開機(jī)時(shí)要對(duì)電源電壓進(jìn)行檢測(cè),并且在每次測(cè)量時(shí)也要對(duì)電源電壓進(jìn)行檢測(cè)。以保證電源在每次測(cè)量中是有效的。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果,通過(guò)電源電壓動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)網(wǎng)絡(luò),在保障測(cè)準(zhǔn)和電池電源有效利用上達(dá)到了較好的統(tǒng)一。