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真空鍍膜

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推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。

真空在鍍膜工業(yè)中的應用

真空鍍膜所采用的方法主要有蒸發(fā)鍍、濺射鍍、離子鍍、束流沉積鍍以及分子束外延等。此外還有化學氣相沉積法。
等離子體輔助ITO薄膜低溫生長

等離子輔助可以有效控制ITO薄膜的結(jié)晶程度和晶粒尺寸以及晶界結(jié)構(gòu),在優(yōu)化條件下,在PET基體上制備出電阻率為1.1×10-3Ω·cm的ITO薄膜.
V2O5復合薄膜材料的制備

V2O5復合氣凝膠薄膜材料的制備過程,主要是以v205粉末、苯甲醇(BA)、異丙醇(IP)和SWENTs為原料,采用溶膠-凝膠法、提拉法鍍膜和溶劑替換的方法來制備.
電鍍污水中有機污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。
靶電流對電弧離子鍍TiAlN膜層組織及成分的影響

在不同基材上沉積的膜層表面形貌存在差異;兩種工藝在不同的基材上沉積的膜層中N、Al和Ti元素呈梯度分布,可明顯的觀察到界面處存在這三種元素的互擴散,使膜層與基體間形成冶金結(jié)合。
電弧離子鍍TiAlN涂層的熱疲勞及抗氧化性能

采用獨立的高純鈦、鋁靶,在TC4鈦合金基材表面以電弧離子鍍工藝沉積制備了TiAIN涂層.結(jié)果表明,TRAIN涂層表現(xiàn)出很好的熱疲勞抗力,顯著改善了鈦合金的高溫抗氧化性。
TiC薄膜的性能研究

采用磁過濾直流電弧離子鍍法在不同的CH4分壓下制備了一系列的TiC薄膜,利用XRD和EDX表征了薄膜的相組成和微結(jié)構(gòu),用MCMS-1摩擦磨損測試儀,研究了不同CH4分壓對薄膜摩擦性能的影響,采用DURAMIN-10型丹麥全自動顯微硬度
生長參數(shù)對Si1-xGex:C合金薄膜中元素分布的影響

通過能量色散譜儀喬(EDS)和掃描電子顯微鏡(SEM)對合金薄膜的元素深度分布和表面形貌進行了表征,分析研究了外延層的生長溫度、生長時間對Si1-xGex:C合金薄膜性質(zhì)的影響.
非平衡磁控濺射沉積TiN/Ti-O復合薄膜機械性能研究

利用非平衡磁控濺射設備,采用四種不同的TiN到Ti-O的過渡方式,在Si(100)和Ti6A14V基體上制備了TiN/Ti-O薄膜。
工藝參數(shù)和熱處理溫度對ZrW2O8薄膜制備的影響

隨著濺射功率的增加,薄膜沉積速率增加;而隨著工作氣壓的增加,薄膜沉積速率先增加后減小;磁控濺射沉積制備的ZrW20s薄膜為非晶態(tài),表面平滑、致密。
AZ31鎂合金表面復合鍍膜工藝研究

研究了在AZ31鎂合金表面依次進行浸鋅、化學鍍鎳、電鍍銅、電弧離子鍍Cr/CaN的復合鍍膜工藝。
脈沖輝光PECVD制備DLC薄膜的結(jié)構(gòu)和性能研究

類金剛石碳膜以其優(yōu)異的性能,諸如高電阻率、高硬度、低摩擦系數(shù)、良好的光學特性等顯示出良好的應用前景,越來越受到人們的關注.本文利用脈沖輝光PECVD在不同的脈沖電壓下成功地制備了DIE薄膜.
離子束流和基底溫度對ZrN/TiAlN納米多層膜性能的影響

大部分多層膜的納米硬度與彈性模量值都高于兩種個體材料硬度的平均值,當輔助束流為5 mA時,多層膜硬度達到30.6 GPa.基底溫度的升高,會顯著降低薄膜的殘余應力,但對薄膜的硬度,摩擦系數(shù)沒有明顯影響.
調(diào)制周期對TiB2/TiAlN納米多層膜機械性能的影響

利用射頻磁控濺射技術(shù),在室溫下合成了具有納米調(diào)制周期的TiB2/TiAlN多層膜.分別采用表面輪廓儀、納米力學測試系統(tǒng)、多功能材料表面性能實驗儀和XRD,分析了調(diào)制周期對TiB2/TiAlN納米多層膜機械性能的影響.
ZnO:Mn稀磁薄膜光學性質(zhì)和鐵磁行為分析

采用脈沖激光沉積技術(shù)在藍寶石(α-Al2O3)襯底上制備了不同Mn摻雜濃度的ZnO薄膜.實驗結(jié)果表明,合適濃度的Mn的摻人,有利于ZnO:Mn薄膜(002)生長而不形成Mn的氧化物。
薄膜的應力控制技術(shù)研究現(xiàn)狀

薄膜應力普遍存在于薄膜元器件中,從而影響薄膜器件性能,限制了其良好的應用前景.所以控制薄膜的應力,消除其不良影響,是薄膜生產(chǎn)工藝中不可或缺的技術(shù)手段。
濺射角度對氧化鉻薄膜性能結(jié)構(gòu)的影響

硬質(zhì)涂層對工件表面改性已經(jīng)成為現(xiàn)代先進制造加工行業(yè)越來越重視的工藝,工件一般為復雜外形,保證工件表面涂層性能結(jié)構(gòu)的一致性尤為重要。
GaN/Al2O3上Ge薄膜的CVD外延生長

本工作采用化學氣相淀積方法,以GcH4為反應氣源,以InN/CaN/Al2O3(0001)復合襯底作陪片,在CaN/Al2O3(0001)復合襯底上外延生長了Ge薄膜,并對生長機理進行了探討。
等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)技術(shù)基礎

等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。
Pt插層對NiFe/FeMn薄膜交換耦合的影響

采用磁控濺射方法制備了以Pt為緩沖層和保護層的NiFe/FeMn薄膜.在NiFe/FeMn界面插入Pt,發(fā)現(xiàn)交換偏置場(Hex)隨著插層Pt厚度(tPt)的增加而減小。