多孔ZnO 薄膜結(jié)構(gòu)與光學(xué)性能研究
采用sol- gel 提拉法,以聚乙二醇(PEG2000)為模板劑,醋酸鋅為前驅(qū)體,乙醇為溶劑,二乙醇胺為絡(luò)合劑,在玻璃基片上生長(zhǎng)了多孔ZnO 薄膜,利用SEM和紫外分光光度計(jì)分析了多孔ZnO 薄膜的表面形貌和光學(xué)性質(zhì)。研究了涂膜層數(shù),模板劑加入量對(duì)多孔ZnO 薄膜結(jié)構(gòu)和透射率的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:隨著涂膜層數(shù)的增加,薄膜的透射率有減小的趨勢(shì);當(dāng)鍍膜層數(shù)一定時(shí),加入PEG2000 后,有利于ZnO 多孔結(jié)構(gòu)的形成,在一定范圍內(nèi),孔尺寸隨PEG 加入量的增加而增大,薄膜的紫外- 可見(jiàn)光透射率隨PEG 加入量的增加而減小。
氧化鋅(ZnO)是一種直接帶隙、寬禁帶(Eg 約3.37 eV) 的Ⅱ- Ⅵ族化合物半導(dǎo)體材料,室溫下激子結(jié)合能達(dá)60 meV,在壓電換能器、透明導(dǎo)電材料、光波導(dǎo)和氣敏、濕敏傳感器等方面有廣泛的應(yīng)用[1~3] ,并且產(chǎn)業(yè)化前景看好。特別是自1997 年人們觀察到ZnO 薄膜的紫外受激發(fā)射后[4~5] ,很快成為繼GaN 之后新的短波長(zhǎng)半導(dǎo)體材料的研究熱點(diǎn)。多孔材料具有大比表面積、高孔隙率、高的透過(guò)性、可組裝性、高吸附性等諸多性能,多孔ZnO 薄膜在半導(dǎo)體光電材料、納米能源材料、催化材料和染料敏化納米晶太陽(yáng)能電池的光陽(yáng)極材料等領(lǐng)域都有應(yīng)用。作為染料敏化納米晶太陽(yáng)能電池的光陽(yáng)極材料,要求ZnO 薄膜是多孔的且具有較高的比表面積,這樣可吸附較多的染料,提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率[6] 。多孔ZnO 薄膜制備技術(shù)主要有:射頻濺射法[7] 、離子束濺射沉積法[8] 、化學(xué)氣相沉積法[9] 、脈沖激光沉積法[10] 、溶膠- 凝膠法[11] 等。
溶膠- 凝膠技術(shù)是一種材料制備的濕化學(xué)合成方法,它不需要復(fù)雜昂貴的設(shè)備,工藝簡(jiǎn)單,特別是化學(xué)計(jì)量比容易控制,易于改性摻雜,能從分子水平上設(shè)計(jì)制備材料,在制備氧化物薄膜和納米材料粉體等方面具有廣泛應(yīng)用。目前對(duì)ZnO 薄膜的研究主要集中于純ZnO 薄膜和摻雜薄膜的光電性能,而專(zhuān)門(mén)研究多孔ZnO 薄膜的光學(xué)性能及實(shí)驗(yàn)條件對(duì)其結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能影響的論文不多。本文采用溶膠- 凝膠法在玻璃基片上制得了高質(zhì)量的多孔ZnO 薄膜,研究了不同實(shí)驗(yàn)條件對(duì)薄膜樣品透射率的影響,得到了一些具有應(yīng)用價(jià)值的信息。
1、實(shí)驗(yàn)部分
用電子天平準(zhǔn)確稱(chēng)取一定量的Zn(CH3COO)2·2H2O,將其溶解在50 ml 的無(wú)水乙醇中,然后放在磁力攪拌器上加熱攪拌(溫度為50℃),待溶液呈乳狀后,用量筒準(zhǔn)確量取一定量的二乙醇胺,逐滴加入到溶液中(30 s 內(nèi)完成),使x[Zn(CH3COO)2·2H2O]:y[NH(CH2CH2OH)2]比為1:2 (摩爾比,下同),再用移液管準(zhǔn)確量取一定量的去離子水,加入到溶液中,使x[Zn (CH3COO)2·2H2O] :y[H2O]比為1:1,繼續(xù)攪拌。待溶液完全澄清后,再加入一定量的模板劑PEG2000,攪拌2h,最后得Zn+ 濃度為0.6 mol/L 的透明、穩(wěn)定的無(wú)色溶膠備用。將玻璃基片(5×25×1 mm3)放在鉻酸里浸泡24 h,用去離子水沖洗干凈后在丙酮和無(wú)水乙醇里各超聲清洗30 min,最后用去離子水沖洗后干燥備用。
用提拉機(jī)采用浸漬- 提拉法涂覆薄膜。將配置好的溶膠密封,在一定溫度和濕度環(huán)境下陳化20~24 h 后,再置于70℃水浴下放置1 h。將清洗干凈的玻璃片豎直、勻速浸入配制好的溶膠中,靜置60 s 后,以6 cm/min 的速度垂直、勻速向上提拉基片,涂覆一層后,在100 ℃烘箱中干燥5~10 min 后,重復(fù)上述操作以制備多層薄膜。涂覆完最后一層膜后,再在100℃下干燥30 min,然后將基片置于箱式電阻爐中,以一定的熱處理制度對(duì)試樣進(jìn)行后處理,再隨爐冷卻至室溫,即得到多孔ZnO 薄膜,其中升溫速度小于3℃/min,在300℃附近保溫15 min 左右,再繼續(xù)升溫到500℃處理1 h。
用JEOL- 6700F 型場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡觀測(cè)薄膜的形貌,用UV755B 紫外- 可見(jiàn)光分光光度計(jì)測(cè)試薄膜的光學(xué)透射譜。
3、結(jié)論
以聚乙二醇( PEG2000) 為模板劑,醋酸鋅為前驅(qū)體,乙醇為溶劑,二乙醇胺為絡(luò)合,采用sol- gel 提拉法,在玻璃基片上生長(zhǎng)了多孔ZnO 薄膜。不同的實(shí)驗(yàn)工藝對(duì)其性能的影響如下:
(1) 在溶膠濃度為0.6 mol/L,模板劑的加入量為0.6 g 時(shí),一次提拉涂膜的厚度約為50~60 nm,涂膜層數(shù)越多,薄膜越厚,透射率有下降的趨勢(shì),但下降程度不大;在膜層大于7 層后,薄膜的透射率變化不明顯,峰值透射率都在89%附近,且變化很小。
(2) 在其它鍍膜條件不變時(shí), 薄膜的透射率隨著PEG2000 加入量的增加而減小。加入PEG2000 后, 有利于多孔ZnO 結(jié)構(gòu)的形成,孔徑的大小在50~250 nm 之間,當(dāng)PEG2000 的加入量為0 . 6 g 時(shí), 薄膜形成的孔結(jié)構(gòu)最好,孔規(guī)則,呈圓形,大小均一,孔徑大小為120 nm左右。
參考文獻(xiàn)
[1] Minami T, Nanto H, Takata S. Highly conductive andtrans parent aluminum doped zinc oxide thin filmsprepared by RF magnetron sputtering [J]. Appl. Phys.1984, 23 (5) : 280- 282.
[2] Horsthuis W H G. ZnO processing for integrated opticsensors [J]. Thin Solid Films.1986,137 (2):185- 192.
[3] Traversa E, Bearzotti A. Anovel humidity- detection mechanism for ZnO densepellets[J].Sensors and Actuators.1995, B23 (2- 3) : 181- 186.
[4] Bagnall D M, Chen Y F, Shen M Y et al . Room temperature excitonic stimmulated emission from zinc oxide epilayer grown by plasma- assisted MBE [J]. CrystGrowth , 1998 (184/185) : 605- 609.
[5] Zu P, Tang Z K, Wong G K L et al . Ultraviolet spontaneous and stimulated emissions from ZnO microcrystallite thin films at room temperature [J]. Solid State Commun, 1997 , (103 ): 456.
[6] 楊立榮, 劉淑賢, 靳正國(guó). 溶膠- 凝膠法制備多孔ZnO 薄膜及其性能表征[J]. 兵器材料科學(xué)與工程,2006, 29(05) : 48- 51.
[7] Zayer N K, Greerf R, Rogers K et al . Insitumonitoring of sputtered zinc oxide films for piezoelectric transducers [J]. Thin Solid Films, 1999, 352 (2): 179 - 184.
[8] Shuichi N, Takaaki T, Hiroyuki H et al . Structural changes in ZnO/ NiO artificial superlattices made by ion beam sputtering [J]. Thin Solid Films, 1997, 302(1) : 133 - 139.
[9] Ataev B M, Bagamadova A M, Djabrailov A M et al .Highly conductive and transparent Ga- doped epitaxial ZnO films on sapphire by CVD [J]. Thin Solid Films,1995, 260 (1):19- 20.
[10] Josph B,Gopchandran K G, Thomas P V et al . A studyon the chemical spray deposition of zinc oxide thin films and their structural and electrical properties [J]. Mater Chem Phys,1999,58 (1): 71- 77.
[11] Chen K J,Hang F Y,Chang S J,Hu Z S. Microstructures, optical and electrical properties of In- doped ZnO thin films prepared by sol- gel method [J].Applied Surface Science,2009 April 1:6308- 6312.
[12] 李巍. ZnO 多孔薄膜的模板組裝制備研究[D]. 天津大學(xué)碩士學(xué)位論文, 2006:31- 33.