直流磁過濾電弧源沉積氧化鋁薄膜的研究

2013-04-20 彌謙 陜西省薄膜技術(shù)與光學(xué)檢測重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

  直流磁過濾電弧源沉積氧化鋁薄膜的研究

  彌謙,王昆,劉哲

 西安工業(yè)大學(xué) 陜西省薄膜技術(shù)與光學(xué)檢測重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

  摘要:采用直流磁過濾電弧源技術(shù)制備氧化鋁薄膜,研究分析了薄膜制備中氧氣分量和陰極靶電流分別對(duì)薄膜折射率n、沉積速率和消光系數(shù)的影響;采用橢偏法對(duì)所制備薄膜的光學(xué)常數(shù)進(jìn)行測試,沉積速率則通過薄膜厚度與沉積時(shí)間的計(jì)算得到。

  實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:薄膜折射率n、沉積速率和消光系數(shù)均隨著氧氣分量的增加而降低,而隨著陰極靶電流的升高而增加;分析主要是因?yàn)殡S著氧氣分量和陰極靶電流的變化,基底表面鋁原子和氧氣比例發(fā)生變化,影響薄膜的相關(guān)性能。

  關(guān)鍵詞:電弧源;氧化鋁;氧氣分量;陰極靶電流