直流熱陰極PCVD法摻氮納米金剛石薄膜形貌及結(jié)構(gòu)的影響
采用直流熱陰極等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)技術(shù),通過在CH4/H2的混合反應(yīng)氣源中通入不同流量的N2,合成了摻氮納米金剛石薄膜。結(jié)果表明隨著氮氣流量的增加,金剛石薄膜表面形貌發(fā)生明顯變化:晶粒細(xì)化,晶界和缺陷有所增多,膜層由尺寸較大微晶顆粒轉(zhuǎn)向納米級菜花狀結(jié)構(gòu),并且薄膜表面粗糙度相應(yīng)變小。同時薄膜中非金剛石組份相對逐漸增多。氮氣的引入可以促進(jìn)金剛石二次形核,抑制金剛石大顆粒生長,對薄膜的生長取向、形貌及結(jié)構(gòu)都產(chǎn)生一定影響。
金剛石膜具有優(yōu)異的力學(xué)、熱學(xué)和電學(xué)性質(zhì),在半導(dǎo)體以及電化學(xué)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。近幾年,在使用甲烷、氫氣制備金剛石膜的生長過程中, 摻氮對金剛石膜的形貌和生長特性的影響、納米級金剛石膜制備表征也被廣泛研究。在化學(xué)氣相沉積金剛石膜過程中摻入氣體(如氮氣)能夠顯著影響金剛石膜的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。目前金剛石膜制備方法主要有微波等離子體CVD 法、熱絲CVD 法、直流熱陰極CVD 法和離子注入等方法。直流熱陰極CVD 法是由冷陰極輝光放電等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)法改進(jìn)而來,是快速生長高品質(zhì)金剛石膜的有效方法之一,它通過改變電壓、氣壓、襯底和陰極的溫度實現(xiàn)穩(wěn)定的輝光放電,優(yōu)化反應(yīng)氣體的分解效率。直流熱陰極CVD 法制備金剛石膜的研究已開展了近二十年,取得了眾多成果,但利用該方法進(jìn)行摻氮納米金剛石膜的研究報道較少。在發(fā)表的文獻(xiàn)中,摻氮金剛石膜的制備研究主要集中在微波等離子體法和熱絲法,還很少有用直流熱陰極等離子體系統(tǒng)研究摻氮對制備納米級金剛石膜表征分析等方面的報道。因此, 本文在這方面做了比較細(xì)致的實驗工作。
1、實驗
采用直流熱陰極等離子體CVD 沉積設(shè)備生長摻氮納米金剛石膜,以P 型(100)硅片為襯底。為促進(jìn)金剛石膜形核密度和形核速率,襯底經(jīng)過無水乙醇和40 μm 金剛石粉混合液超聲處理1 h,然后用氮氣吹干。反應(yīng)氣體為CH4 和H2,流量分別為4 sccm、200 sccm,氮源為N2,流量由0 sccm 逐漸增加到8.0 sccm。薄膜沉積時間5 h,生長參數(shù)如表1 所示。
<表1 摻氮金剛石膜的生長參數(shù)
采用日立S- 4800 型場發(fā)射掃描電子顯微鏡(SEM)觀察樣品的表面形貌;采用日本Rigaku 公司生產(chǎn)的D- max2200 PC 型X 射線衍射儀分析樣品的晶體結(jié)構(gòu),電壓40 kV, 電流20 mA,掃描速度4°/min,步長0.02°;采用Renishaw 公司的Raman 光譜儀分析樣品的晶相組成,激光光源為Ar+ 激光器,波長為514.5 nm。
2、結(jié)果與討論
圖1 為樣品的掃描電鏡圖片,圖1(a)為未摻入氮氣的樣品,生長的金剛石具有致密結(jié)構(gòu),晶形完整,晶粒尺寸多在2~4 μm,結(jié)晶質(zhì)量好,顯示了較大的多晶顆粒,多成(111)面方向生長;(b)氮氣流量為1.0 sccm 樣品,主要以(111)和(100)晶面為主,摻氮后顆粒明顯變小,該條件下生長金剛石膜晶形較差,整個表面呈現(xiàn)無序,布滿“菜花”狀結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)由大量細(xì)小顆粒構(gòu)成,晶粒致密性及完整性都有所降低,出現(xiàn)大量晶界,這表明氮氣的引入降低了金剛石的品質(zhì),對石墨碳生長有一定的促進(jìn)作用。(c)、(d)氮氣流量為2.0 sccm 的樣品,薄膜已無明顯的金剛石晶形,薄膜晶界增加,但晶粒尺寸明顯進(jìn)一步減小,表面形成晶粒凸起生長狀態(tài),說明氮氣的摻入抑制晶粒向四周生長,在初期未形核區(qū)域和已生長膜面上二次形核。
圖1 摻氮金剛石膜的SEM圖像
3、結(jié)論
實驗表明,氮氣對直流熱陰極法制備金剛石膜有明顯影響。引入氮氣后,可以在典型微米晶金剛石膜制備條件下,生長納米晶金剛石膜。隨著氮氣流量的增加,晶粒逐漸細(xì)化,由結(jié)構(gòu)完整的晶面(111)逐漸變?yōu)榕c(100)晶面共存的“菜花狀”結(jié)構(gòu),晶界增加。氮氣可以促進(jìn)金剛石膜生長過程中二次形核,有利于納米晶金剛石膜的生長。過高的氮氣濃度雖然提高了甲烷氣體的分解率,促進(jìn)了金剛石膜的生長,但是,原子H 對非金剛石相的刻蝕作用相對減弱,導(dǎo)致金剛石膜的品質(zhì)下降。