摘　要：采用基片加熱和后期熱處理的手段使ITO薄膜結晶和調(diào)整其組織結構來降低電阻的方法,已經(jīng)被廣泛應用于在玻璃等基體上制備ITO薄膜.但是隨著不耐高溫的柔性基體的廣泛使用,ITO薄膜低溫生長已經(jīng)成為一個重要的研究課題.為此,本研究探討室溫等離子體輔助條件下,ITO薄膜沉積生長過程,以期為上述問題的解決提供理論依據(jù).研究結果表明:等離子輔助可以有效控制ITO薄膜的結晶程度和晶粒尺寸以及晶界結構,在優(yōu)化條件下,在PET基體上制備出電阻率為1.1×10-3Ω·cm的ITO薄膜.

　　關鍵詞：磁控濺射;等離子輔助;ITO薄膜

　　分類號：TG174.444　文獻標識碼：A

　　文章編號：1672-7126(2008)增刊-074-05

Low Temperature ITO Film Growth by Plasma Assisted Deposition

Zhang Tianwei　 Yang Huisheng 　 Luo Qinghong　 Wang Yanbin　 Lu Yonghao