離軸濺射法生長的BiFeO3 外延薄膜及其交換偏置效應(yīng)

余果，王藝程，金利川，白飛明

電子薄膜與集成器件國家重點(diǎn)實驗室，電子科技大學(xué)，四川，成都，610054

　　多鐵性BiFeO3 薄膜吸引了人們廣泛的關(guān)注，并且有望應(yīng)用于磁電器件、自旋電子器件和微波器件等領(lǐng)域。近年來，有多個研究小組報道了在FM/BiFeO3(FM=Co, Fe, Ni,NiF, CoFe, CoFeB)異質(zhì)結(jié)中觀察到交換偏置現(xiàn)象。

　　本文首先用離軸射頻磁控濺射法在(001), (110) 和(111) SrTiO3 和Nb 摻雜SrTiO3 單晶基片上成功生長了400nm 厚的高質(zhì)量的外延BiFeO3 薄膜。接著，不同厚度的 CoFe 鐵磁層又沉積在BiFeO3 薄膜上形成異質(zhì)結(jié)。

　　磁化曲線測試表明：在(001)和(110)-BiFeO3 薄膜上都可以觀察到矯頑力的增加(即交換增強(qiáng)效應(yīng))和磁滯回線的偏移(即交換偏置效應(yīng))。但沒有在CoFe/(111)BiFeO3 異質(zhì)結(jié)中觀察到交換偏置現(xiàn)象。各向異性磁電阻測量支持這一結(jié)果。

　　因此，我們認(rèn)為無論是109 度鐵電疇、71 度鐵電疇或者螺旋自旋結(jié)構(gòu)的破缺都可以導(dǎo)致交換偏置效應(yīng)，而在(110)-BiFeO3 薄膜中發(fā)現(xiàn)大于70 Oe 的交換偏置場十分重要，這意味著一方面我們可以通過面外電場操控交換偏置，降低了器件設(shè)計的難度;另一方面，可以通過施加不同電場強(qiáng)度來控制電疇翻轉(zhuǎn)后的極化取向，從而有望實現(xiàn)可逆的交換偏置場調(diào)控。

　　關(guān)鍵詞 多鐵性;自旋電子;磁電效應(yīng);交換配置