通過(guò)磁控濺射氧化鋁鋅陶瓷靶材的方法在玻璃基片上制備ZAO薄膜，研究了不同氧摻雜量對(duì)于ZAO膜電學(xué)及光學(xué)性能的影響，使用X射線衍射儀衍射分析了薄膜相結(jié)構(gòu)，使用四探針?lè)阶鑳x測(cè)試薄膜的方阻，采用紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)測(cè)試薄膜透過(guò)率。結(jié)果表明：在通入較低氧分量時(shí)對(duì)ZAO薄膜結(jié)晶性能及光電性能沒(méi)有太大的影響，但隨著氧分量的增加ZAO薄膜性能急劇下降。

　　摻鋁氧化鋅(ZAO)薄膜在可見(jiàn)光區(qū)具有高的透過(guò)率，極低的電阻率，并且作為摻雜的Al元素具有原料易得、價(jià)格低、無(wú)污染等優(yōu)點(diǎn)。因此，ZAO薄膜已廣泛地應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、太陽(yáng)能器件、半導(dǎo)體等領(lǐng)域中。制備ZAO薄膜的方法主要有：磁控濺射、化學(xué)氣相沉積、脈沖激光沉積、溶膠-凝膠等方法，其中磁控濺射的方法最適合大面積工業(yè)化生產(chǎn)。

　　一些研究表明采用磁控濺射法制備ZnO系列薄膜時(shí)進(jìn)行氧摻雜有助于ZAO和ZnO薄膜結(jié)晶質(zhì)量的提高和(002)峰的擇優(yōu)取向，但此類研究多為實(shí)驗(yàn)室的小型濺射機(jī)及進(jìn)行小面積基片的鍍膜。本文使用可進(jìn)行較大面積鍍膜的濺射鍍膜線對(duì)玻璃基片進(jìn)行ZAO薄膜的制備，研究氧摻雜對(duì)ZAO薄膜性能的影響，驗(yàn)證其對(duì)于實(shí)際生產(chǎn)的應(yīng)用價(jià)值。

1、實(shí)驗(yàn)方法

　　采用中頻交流磁控濺射系統(tǒng)制備ZAO薄膜,系統(tǒng)極限真空約為5.0×10-4Pa。工作氣體為氬氣和氧氣,通過(guò)質(zhì)量流量計(jì)來(lái)控制工藝氣體流量，采用Al2O3質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2%的氧化鋅鋁陶瓷靶材,靶材有效面積為80mm×360mm,靶與基體距離為80mm�；�體為玻璃(厚度為3mm，面積為900cm2)。實(shí)驗(yàn)時(shí)本底真空度為1.0×10-3Pa，基片溫度控制在250℃，具體沉積工藝可見(jiàn)表1。

　　使用TencorD-100型臺(tái)階儀測(cè)量制備薄膜的厚度,使用D/max2RBX射線衍射儀衍射分析薄膜的相結(jié)構(gòu)，使用ZNR-1B四探針?lè)阶鑳x測(cè)試薄膜的方阻，采用島津UV-2450紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)測(cè)試薄膜透過(guò)率，采取隨機(jī)從玻璃基片上選點(diǎn)進(jìn)行分析測(cè)試。

表1 ZAO薄膜制備實(shí)驗(yàn)參數(shù)

2、結(jié)果與討論

　　圖1(a)為不同氧摻雜量制備ZAO薄膜的XRD圖譜，不同氧摻雜量制備的ZAO薄膜都具有(002)的擇優(yōu)取向,隨著氧摻雜量的增加,(002)晶向峰強(qiáng)逐漸減弱。圖1(b)為ZAO薄膜的XRD圖譜中(002)衍射峰的半高寬對(duì)比，可以看出，隨著氧含量的增加，ZAO薄膜的半高寬逐漸變大，與圖1中的衍射峰強(qiáng)相對(duì)應(yīng)可以說(shuō)明，在濺射中摻雜氧元素會(huì)使薄膜的結(jié)晶性變差，這應(yīng)該是因?yàn)檠踉�素�(fù)诫s會(huì)增加ZAO薄膜中鋅的空位能級(jí)，從而影響到按低能晶面鋅原子面的(002)方向擇優(yōu)生長(zhǎng)的生長(zhǎng)模式。

圖1 不同氧摻雜量ZAO薄膜XRD圖譜(a)及(002)峰半高寬(b)對(duì)比

　　表2為不同氧摻雜量制備ZAO薄膜的方阻及電阻率對(duì)比，隨著氧的摻雜量增加，方阻及電阻率都上升，相對(duì)于無(wú)摻雜情況，氧摻雜量很低時(shí)(0.5%)，薄膜的導(dǎo)電性能不受太大的影響。ZAO主要依靠氧缺位進(jìn)行導(dǎo)電，當(dāng)薄膜中的氧含量較多時(shí)，氧缺位相應(yīng)減少?gòu)亩�使載流子濃度下降影響其導(dǎo)電能力。

表2 不同氧摻雜量ZAO薄膜方阻及電阻率對(duì)比

　　圖2為不同氧摻雜量制備ZAO薄膜的透過(guò)率及光學(xué)帶隙對(duì)比曲線，可以看出,當(dāng)氧的摻雜量很小時(shí)，薄膜的透過(guò)率與未摻雜時(shí)基本一致，當(dāng)摻雜量上升時(shí)，透過(guò)率隨之下降;薄膜的光學(xué)帶隙隨著氧摻雜量的增加逐漸變小，向未進(jìn)行摻雜的ZnO薄膜帶隙3.2eV方向偏移。這主要是因?yàn)樵黾拥难踉�素影響了薄膜的結(jié)晶質(zhì)量，薄膜中缺陷中心的增加引起對(duì)光散射機(jī)制的增強(qiáng)從而影響到薄膜的透過(guò)及其光學(xué)帶隙，并且由于薄膜中氧元素的增加占據(jù)氧空位會(huì)使薄膜更加偏向于無(wú)摻雜本征態(tài)的ZnO薄膜，所以其光學(xué)帶隙隨氧含量的增加產(chǎn)生藍(lán)移。

圖2 不同氧摻雜量制備ZAO薄膜透過(guò)率(a)及光學(xué)帶隙(b)

3、結(jié)論

　　(1)在磁控濺射制備ZAO過(guò)程中引入氧元素會(huì)對(duì)制備薄膜的結(jié)晶性能、電學(xué)及光學(xué)性能產(chǎn)生不良影響，當(dāng)摻雜量較小時(shí)這種影響很小。

　　(2)ZAO薄膜中氧含量的上升會(huì)增加結(jié)構(gòu)缺陷及降低導(dǎo)電氧空位濃度從而引起薄膜性能的下降。

　　(3)在實(shí)際生產(chǎn)中并不適合使用氧摻雜來(lái)制備高質(zhì)量的ZAO薄膜。