密封間隙對(duì)磁流體密封能力的影響
磁流體(或叫磁性流體,英文名:Magneticfluid 或 Ferrofluid)是由0.1~100nm(納米)導(dǎo)磁微粒、分散劑和載體融合而成的膠體,具有許多特殊的功能,是目前國內(nèi)外尖端的納米技術(shù)之一。
由于磁流體有二大特點(diǎn):①在磁場(chǎng)的作用下,磁化強(qiáng)度隨外加磁場(chǎng)的增加而增加,直止飽和,而外磁場(chǎng)去除后又無任何磁滯現(xiàn)象,磁場(chǎng)對(duì)磁流體的作用力表現(xiàn)為體積力。②與一般納米粒子相同,只有小尺寸效應(yīng)、表面效應(yīng)、量子尺寸效應(yīng)和宏觀量子隧道效應(yīng)。是動(dòng)態(tài)密封理想材料。
磁流體密封的基本原理是:當(dāng)磁流體注入磁場(chǎng)間隙,可以充滿整個(gè)間隙,成了一系液體“O型密封圈",從而達(dá)到密封效果。磁流體密封裝置由無磁性座、磁極、永磁鐵、導(dǎo)磁軸和磁流體組成(見圖1)。
磁流體動(dòng)態(tài)密封主要有以下特點(diǎn):
①密封性能好,幾乎無泄漏(<10-11Pa·m3/s),真空密封時(shí)的真空度可達(dá)10-5Pa。
、诳煽啃院茫?yàn)殁S鐵硼材料的磁損小于5%/100年,又幾乎沒有機(jī)械磨損。
③機(jī)械傳輸效率很高,可達(dá)99%,幾乎無功率損失。
目前磁流體密封裝置已在許多設(shè)備上使用,例如在單晶硅爐、真空熱處理爐、離子濺射、物理化學(xué)氣相沉積、離子鍍膜、液晶在生、電子指示器等設(shè)備的密封,以及計(jì)算機(jī)硬盤、機(jī)器人及軍工產(chǎn)品等環(huán)境要求較高的設(shè)備的環(huán)境密封,獲得了很好的經(jīng)濟(jì)效益。
由于密封機(jī)理和磁流體本身的復(fù)雜性,影響密封能力的因素較多,主要有磁流體的性能(如磁飽和強(qiáng)度、粘度等物理化學(xué)磁學(xué)性能)、磁極極齒的結(jié)構(gòu)參數(shù)、磁場(chǎng)大小及分布、工作條件(如溫度、載荷等)、密封間隙等。對(duì)于間隙的影響,有人曾經(jīng)做過研究,一般認(rèn)為間隙越小,密封能力越強(qiáng),但沒有考慮轉(zhuǎn)速、零件加工誤差和裝配誤差等因素。
1.磁流體密封能力的理論計(jì)算
磁流體在磁場(chǎng)中的行為遵循擴(kuò)展的貝努利方程:
其中u為流速;ρK為外力;p*為壓力;ηs 為磁流體的粘度;H為磁場(chǎng)強(qiáng)度。
根據(jù)圖2可知,氣體把磁流體從11'推到22',同時(shí)從22'到44'位置所做的功,等于磁流體從磁場(chǎng)強(qiáng)度為B1處移到B2處的能量,由此可推得在靜態(tài)時(shí)每級(jí)磁流體密封圈能受的壓力為:
式中μ0為真空中的導(dǎo)磁率;B2,B1為磁流體二側(cè)的磁感應(yīng)強(qiáng)度;M為磁流體的磁化強(qiáng)度;Mt2,Mt1為磁流體二側(cè)的磁化強(qiáng)度的切向分量。
考慮到間隙處的磁場(chǎng)強(qiáng)度相當(dāng)高,比磁流體的飽和磁化強(qiáng)度Ms高得多,所以2)式可以簡(jiǎn)化為:
很明顯從(3)式可以看出,磁流體密封能力只與飽和磁化強(qiáng)度和磁感應(yīng)強(qiáng)度有關(guān),而與工作間隙無關(guān)。這與實(shí)驗(yàn)結(jié)果及實(shí)際情況不符合。