電容薄膜規(guī)在真空環(huán)境下測(cè)量偏差的原因分析

2013-03-13 杜春林 可靠性與環(huán)境工程技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

電容薄膜規(guī)在真空環(huán)境下測(cè)量偏差的原因分析

杜春林 許忠旭 常冬林

可靠性與環(huán)境工程技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 北京衛(wèi)星環(huán)境工程研究所

　　摘要：在某大型航天器泄復(fù)壓試驗(yàn)的調(diào)試中，使用了電容薄膜規(guī)(以下簡(jiǎn)稱薄膜規(guī))進(jìn)行密封艙內(nèi)真空度測(cè)量。由于測(cè)量時(shí)薄膜規(guī)處于真空環(huán)境中，因此測(cè)量數(shù)據(jù)出現(xiàn)了較大的偏差。

　　本文即對(duì)這一問題進(jìn)行原因分析，提出薄膜本底偏移量是產(chǎn)生偏差的最重要原因，并有針對(duì)性地采取解決措施。

　　關(guān)鍵詞：薄膜規(guī) 本底偏移量 真空 偏差